收藏本站
25AA128/25LC128
2.6
Write Status Register (WRSR)
The Write Status Register ( WRSR ) instruction allows the
user to write to the nonvolatile bits in the STATUS reg-
ister as shown in Table 2-2. The user is able to select
one of four levels of protection for the array by writing
to the appropriate bits in the STATUS register. The
only writes to nonvolatile bits in the STATUS register
are disabled. See Table 2-4 for a matrix of functionality
on the WPEN bit.
See Figure 2-7 for the WRSR timing sequence.
array is divided up into four segments. The user has the
ability to write-protect none, one, two, or all four of the
TABLE 2-3:
ARRAY PROTECTION
segments of the array. The partitioning is controlled as
shown in Table 2-3.
The Write-Protect Enable (WPEN) bit is a nonvolatile
bit that is available as an enable bit for the WP pin. The
Write-Protect (WP) pin and the Write-Protect Enable
(WPEN) bit in the STATUS register control the
programmable hardware write-protect feature. Hard-
ware write protection is enabled when WP pin is low
and the WPEN bit is high. Hardware write protection is
disabled when either the WP pin is high or the WPEN
bit is low. When the chip is hardware write-protected,
BP1
0
0
1
1
BP0
0
1
0
1
Array Addresses
Write-Protected
none
upper 1/4
(3000h-3FFFh)
upper 1/2
(2000h-3FFFh)
all
(0000h-3FFFh)
FIGURE 2-7:
CS
WRITE STATUS REGISTER TIMING SEQUENCE ( WRSR )
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
Data to STATUS Register
SI
0
0
0
0
0
0
0
1
7
6
5
4
3
2
1
0
High-Impedance
SO
Note:
An internal write cycle (T WC ) is initiated on the rising edge of CS after a valid write STATUS register
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21831E-page 11
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
25LC160/P IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8DIP
25LC160B-I/PG IC EEPROM 16KBIT 10MHZ 8DIP
25LC256T-E/MF IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8DFN
25LC320A-I/P IC EEPROM 32KBIT 10MHZ 8DIP
25LC512-E/MF IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8DFN
25LC640-E/P IC EEPROM 64KBIT 2MHZ 8DIP
25LC640A-E/P IC EEPROM 64KBIT 10MHZ 8DIP
281708-4 PLUG HE14 IDC 90 4 P TUBE
相关代理商/技术参数
25LC128-E/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-E/SM 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-E/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-E/ST 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32KX8 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-H/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128K 16K X 8 2.5V SER EE 150C RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-I/MF 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32KX8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-I/P 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32Kx8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
25LC128-I/SM 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128k 32KX8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8